大家好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　少先队的队旗是什么，少先队的队旗是什么组成的审(shěn)查发现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法作出不(bù)予通(tōng)过网络安(ān)全审查的(de)结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础(少先队的队旗是什么，少先队的队旗是什么组成的chǔ)设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络(luò)安全审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害(hài)国家关(guān)键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水平对(duì)外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产品服(fú)务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成(chéng)网(wǎng)络安全风(fēng)少先队的队旗是什么，少先队的队旗是什么组成的险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过(guò)美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至(zhì)少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第(dì)一大(dà)存(cún)储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的(de)供应优(yōu)势(shì)，公司也(yě)与国内(nèi)国(guó)产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户(hù)转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游(yóu)设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益(yì)。存储(chǔ)器的(de)生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要(yào)经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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