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　　美光(八一勋章享受什么待遇，得了八一勋章享受什么待遇guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行(xíng)了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存(cún)在较(jiào)严重网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大(dà)安(ān)全(quán)风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过网络(luò)安全审查的结(jié)论(lùn)。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司(sī)产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是(shì)维护国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的(de)存储芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过美光等(děng)国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供应商八一勋章享受什么待遇，得了八一勋章享受什么待遇。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公(gōng)司(sī)在下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未(wèi)来(lái)可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美(měi)国限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技(jì)（薄(báo)膜沉(chén)积）等(děng)相关公(gōng)司份额(é)提升，以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。