大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售的(de)产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法对美光公司在(zài)华(huá)销售产品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我(wǒ)国(guó)关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安(ān)全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定(dìng)推进(jìn)高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国(guó)家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司(sī)披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年(nián)报(bào)显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析(xī)，如(rú)果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客(kè)户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜(mó)成为(wèi)最关(guān)键、最大量的(de)加(jiā)工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能(néng)会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉(chén)积设(shè)备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及(jí)存储业务(wù使出吃奶的劲儿，吃奶的劲都使出来了是什么意思使出吃奶的劲儿，吃奶的劲都使出来了是什么意思)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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