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  大(dà)家好(hǎo),来(lái)看一则突发消息(xī)。

  美光(guāng)公司在华销售的(de)产品未通过网(wǎng)络安全审查(chá)

  据网信办消(xiāo)息(xī),日(rì)前,网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

  审(shěn)查发(fā)现,美光(guāng)公司(sī)产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患,对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全(quán)风(fēng)险(xiǎn),影响我国国(guó)家安全。为此,网络安全审查办(bàn)公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规,我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

  此(cǐ)次对美(měi)光公司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查,目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安(ān)全,是维护国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开放,只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求,欢迎各国(guó)企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市(shì)场。

  半导体突发!中(zhōng)国出(chū)手(shǒu):停止采购!

  3月(yuè)31日(rì),中国网信(xìn)网(wǎng)发(fā)文称,为保障关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链(liàn)安(ān)全,防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险,维护国家安(ān)全,依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安全(quán)法》《中华(huá)人民共和国(guó)网(wǎng)络(luò)安全法》,网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查办法》,对美光(guāng)公司(Micron)在(zài)华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品实施(shī)网络安全审查。

  半导体突发!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头,也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一,2022年收入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn热量怎么换算成卡路里?1kj等于多少卡路里呢,1kj是多少卡路里计算器)存(cún))市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM (内存)市场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司中,江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

  美(měi)光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降,至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商(shāng),采购(gòu)约31亿(yì)元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波(bō)龙第一大、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示,江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约,确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性(xìng),巩固公司在下(xià)游市场的(de)供应优势,公司(sī)也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

  有(yǒu)券商此前(qián)就分(fēn)析,如果美光(guāng)在中国区销售受到限制,或将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士,国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

  分(fēn)析(xī)称(chēng),长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量(liàng)的(de)加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步骤,同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60:1的深孔,未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽,催(cuī)生更多设备需求。据东京(jīng)电子(zi)披露,薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75%。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单,设备国(guó)产化(huà)进(jìn)程加速(sù),看好拓荆科技(薄膜沉积)等相关公司份(fèn)额提升,以及存储业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清(qīng)科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗)等收(shōu)入增长。

 

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