大家好(hǎo)，来看一则突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)的运营(yíng)者应停止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目(mù)的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息(xī)基(jī)础设施安(ān)全(quán)，是(shì)维护国(guó)家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各(gè)类平台(tái)产(chǎn)品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)问题隐甘为人梯的意思是什么意思，甘为人梯出处患造(zào)成网络(luò)安全风险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华(huá)人民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国网络安全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，甘为人梯的意思是什么意思，甘为人梯出处对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三(sān)大(dà)供(gōng)应商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产业链上下(xià)游(yóu)建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要(y甘为人梯的意思是什么意思，甘为人梯出处ào)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供(gōng)应优势(shì)，公司(sī)也与国内国(guó)产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导致下(xià)游(yóu)客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益(yì)。存储器(qì)的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被加入美(měi)国限制名单，设(shè)备国产化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比较(jiào)高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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