大家好(hǎo)，来看一则突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依法对美(měi)光公司(sī)在华(huá)销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全(quán)问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)造成重大安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国(guó)家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国(guó)坚(jiān)定推进(jìn)高水(shuǐ)平(píng)对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进(jìn)入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应(yīng)链安(ān)全(quán)，防范(fàn)产品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民(mín)共(gòng)和国(guó)国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司(sī)披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合约(yuē)，确保(bǎo)存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等(世界上性功能最强的国家是哪个国家děng)相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以及存(cún)储(chǔ)业(yè)务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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