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　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了(le)网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美(吴越的现任丈夫是谁 吴越没有结婚吗měi)光(guāng)公司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护(hù)国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高(gāo)水平(píng)对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品(pǐn)服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施(shī)供应(yīng)链安全(quán)，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人民共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三吴越的现任丈夫是谁 吴越没有结婚吗星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光(guāng)等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙(lóng)采(cǎi)购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存(cún)储产业(yè)链上(shàng)下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美(měi)光(guāng)、西(xī)部数据(jù)等主要(yào)存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在吴越的现任丈夫是谁 吴越没有结婚吗下(xià)游市(shì)场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外(wài)三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关(guān)键、最(zuì)大量(liàng)的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需(xū)求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提(tí)升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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