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　保温杯突然间不保温了是什么原因呢，保温杯突然间不保温了是什么原因呢　美光公司在(zài)华销售(shòu)的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查

　　据(jù)网(wǎng)信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础设(shè)施(shī)的(de)运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平保温杯突然间不保温了是什么原因呢，保温杯突然间不保温了是什么原因呢(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台(tái)产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人(rén)民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是(shì)全(quán)球(qiú)存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）保温杯突然间不保温了是什么原因呢，保温杯突然间不保温了是什么原因呢统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已(yǐ)经在(zài)存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的(de)加(jiā)工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额(é)提(tí)升，以及(jí)存储业务(wù)占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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