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一山放过一山拦全诗原版,一山放过一山拦全诗是什么诗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好(hǎo),来看一则突(tū)发消息。

  美光公司(sī)在华销售的产品未(wèi)通过网络(luò)安全审查

  据网信办(bàn)消息,日前,网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法对美光公司在(zài)华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全审查。

  审查发现,美(měi)光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患,对我国关键信息基础设施供应链造(zào)成(chéng)重大安全风(fēng)险,影响我国国家安全。为此,网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规,我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设施的(de)运营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

  此次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查(chá),目(mù)的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安(ān)全,是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放(fàng),只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守中国(guó)法律(lǜ)法规要(yào)求(qiú),欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

  半导体突发!中国出手(shǒu):停止采(cǎi)购!

  3月31日,中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称(chēng),为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安(ān)全,防范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络安全风险,维护(hù)国家(jiā)安全(quán),依据《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安全法》,网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全(quán)审(shěn)查办法》,对美光(guāng)公司(Micron)在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实(shí)施网(wǎng)络(luò)安全审查。

  半导(dǎo)体突(tū)发!中国出手:停止采(cǎi)购!

  美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头,也是全球存储芯片(piàn)巨头之一,2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57%降至(zhì)2022年约11%。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM (内存)市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司(sī)中,江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露(lù)过(guò)美光(guāng)等国(guó)际存(cún)储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

  美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降,至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

  公(gōng)告显示, 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng),采购约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示,江波龙与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约,确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性,巩固公司在下游市场(chǎng)的(de)供应(yīng)优势,公司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

  有券商此(cǐ)前就分析,如果美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限制,或将导致下一山放过一山拦全诗原版,一山放过一山拦全诗是什么诗游客(kè)户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

  分析(xī)称,长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器(qì)的生(shēng)产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代,2 维到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu),同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60:1的深孔,未来可能(néng)会(huì)更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽,催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露,薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75%。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名(míng)单,设(s一山放过一山拦全诗原版,一山放过一山拦全诗是什么诗hè)备国产(chǎn)化进程加(jiā)速,看(kàn)好(hǎo)拓荆科技(jì)(薄膜沉积)等相(xiāng)关(guān)公(gōng)司份额(é)提升,以及存储业(yè)务占比较高的华海清(qīng)科(CMP)、盛美上海(清(qīng)洗)等收入增长。

 

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