大(dà)家好，来看(kàn)一则突发(fā)消息(xī)。

　　美光公司在华销售的(de)产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审查幸会幸会后面接什么有趣，高情商回复幸会g>

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网(wǎng)幸会幸会后面接什么有趣，高情商回复幸会络安全审查(chá)办公室依法对(duì)美光公司(sī)在华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品存在较严重网络安(ān)全(quán)问题隐患(huàn)，对(duì)我(wǒ)国(guó)关键信息基础设(shè)施(shī)供应(yīng)链造成重大(dà)安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作(zuò)出(chū)不予通过网络安全(quán)审查的(de)结论。按(àn)照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查，目的(de)是防范产品网络安全问题(tí)危害(hài)国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护(hù)国家安(ān)全的(de)必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设施供应(幸会幸会后面接什么有趣，高情商回复幸会yīng)链(liàn)安全(quán)，防范(fàn)产品(pǐn)问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国(guó)国家安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露(lù)过(guò)美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位(wèi)列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的(de)供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美光(guāng)在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储器的(de)生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江存储被(bèi)加入美(měi)国限制名单，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司(sī)份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。