大家好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在(zài)华(huá)销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络(luò)安全(quán)审查

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国(guó)家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全(quán)法》等(děng)法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的(de)运营者应停止采(cǎi)购美室外残疾人坡道坡度规范要求，室外残疾人坡道一般不超过光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关键信息(xī)基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进(jìn)高水平对(duì)外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全(quán)，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施(shī)网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全(quán)球存储芯片(piàn)巨(jù)头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨(zī)询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业(yè)链(liàn)上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合(hé)作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客(kè)户(hù)转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存(cún)储器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的(de)加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多(duō)设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限制名单，设备国(guó)产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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