大家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的(de)产品未通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了网络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的(de)结论。按照元的结构和部首是什么意思，元的结构和部首是什么字《网络(luò)安全法》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应(yīng)停止(zhǐ)采(cǎi)购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入(rù)中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2元的结构和部首是什么意思，元的结构和部首是什么字021 年(nián)三(sān)星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过(guò)美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美(měi)光(guāng)位(wèi)列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶(jīng)圆供应(yīng)商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业(yè)链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数(shù)据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的(de)供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购国(guó)外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需求。据(jù)东京(jīng)电子(zi)披露(lù)，薄(báo)膜(mó)沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美国限制名单，设(shè)备国产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄(báo)膜(mó)沉积(jī)）等相(xiāng)关公司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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