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　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法对美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)造成(chéng)重大(dà)安全风(fēng)险，影响(xiǎng)乾坤未定你我皆是黑马，把人比喻黑马是啥意思我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)，目的是(shì)防范产品网络安全(quán)问题危害国(guó)家关键信息基(jī)础设施(shī)安全，是维护国(guó)家安(ān)全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安(ān)全法》《中华(huá)人民共(gòng)和国(guó)网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全(quán)审(shě乾坤未定你我皆是黑马，把人比喻黑马是啥意思n)查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)实施(shī)网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙(lóng)第一大(dà)存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游(yóu)市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与国内国(guó)产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需(xū)求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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