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　　美(měi)光公司在华(huá)销售(shòu)的产品未(wèi)通(tōng)过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)对美光公(g足疗买钟出去是睡觉吗，怎么跟宾馆前台说要服务ōng)司(sī)在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严重网络(luò)安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息(xī)基础设(shè)施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不(bù)予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信足疗买钟出去是睡觉吗，怎么跟宾馆前台说要服务息基础设施的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光(guāng)公司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类平台(tái)产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等(děng)国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙(lóng)第一大(dà)存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第三大(dà)供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立(lì)国内(nèi)外(wài)广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美光在中国(guó)区(qū)销售受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生(shēng)产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备(bèi)国产化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎ足疗买钟出去是睡觉吗，怎么跟宾馆前台说要服务ng)。

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