大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司(sī)产品进行(xíng)网络安全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产品服务(wù)进(jìn)入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络(luò)安全(quán)风险，维护国(guó)家(jiā)安全(quán)，依据《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之(zhī)一(yī)，2022年收入(rù)来(lái)自中国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A太深是一种什么体验，太深是不是不好股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等(děng)公司(sī)披(pī)露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比(b太深是一种什么体验，太深是不是不好ǐ)已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应(yīng)优(yōu)势，公司(sī)也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光(guāng)在中国区(qū)销(xiāo)售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下(xià)游客(kè)户(hù)转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化(huà)进程加速(sù)，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份(fèn)额(é)提(tí)升(shēng)，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入(rù)增长(zhǎng)。

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