大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司(sī)在(zài)华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存(cún)在较(jiào)严重网(wǎng)络安全(quán)问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结一亿等于10的几次方万，一亿等于10的几次方元论。按照《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美(měi)光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全(quán)审查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安(ān)全问题危害国(guó)家(jiā)关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国家安(ān)全的(de)必(bì)要措施(shī)。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月3一亿等于10的几次方万，一亿等于10的几次方元1日(rì)，中国(guó)网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露(lù)过美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大(dà)、第(dì)二大(dà)和第三大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下(xià)游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户(hù)转而(ér)采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提(tí)升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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