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　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公(gōng)室依法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国(guó)国(guó)家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依(yī)法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的(de)运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基(jī)础设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台(tái)产品(pǐn)服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)供应链(中考立定跳远满分多少米2023，中考立定跳远男生评分标准2022liàn)安(ān)全(quán)，防范(fàn)产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安全(quán)审查中考立定跳远满分多少米2023，中考立定跳远男生评分标准2022办法(fǎ)》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光是美(měi)国的(de)存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中(zhōng)，江波(bō)龙、佰(bǎi)维(wéi)存(cún)储等(děng)公(gōng)司披(pī)露过美光等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确(què)保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下(xià)游市场的(de)供应优(yōu)势，公司也(yě)与国(guó)内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导(dǎo)致(zhì)下(xià)游客户(hù)转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额(é)提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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