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　　大家好，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过(guò)网络安全(quán)审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法(fǎ)对(duì)美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国(guó)国(guó)家安(ān)全(quán)。为此，网络安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依法作出不予通(tōng)过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设(shè)施(shī)的(de)运(yùn)营(yíng)者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对(duì)美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安全审查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的(de)必要措施(shī)。中国坚(jiān)定(dìng)推进(jìn)高水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐(yǐn)患造(zào)成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查办公室(shì)按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大(dà)供应商(shāng)采购(gòu)金额(é)占(zhàn)比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等(děng)主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在(zài)中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长鑫(xīn)存储(chǔ)等(děng)竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的(de)生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺(yì)步骤(zhòu)，同时(shí)刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来(lái)可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京(jīng)电子(zi)披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合(hé)计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化(huà)进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关(guān)公(gōng)司份(fèn)额(é)提升，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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