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　　美光(guāng)公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全(quán)问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国(guó)家(jiā)安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)作(zuò)出不予(yǔ)通(tōng)过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国(guó)内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法(fǎ)律法规(guī)要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风(fēng)险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依(yī)据《中华(huá)人民共(gòng)和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全(quán)法》，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也(yě)是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降(jiàng)，至(zhì)少已经不是(shì)主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和(hé)第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存(cún)储产业(yè)链(liàn)上(shàng)下游(yóu)建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游(感谢你特别邀请来见证你的爱情是什么歌，感谢你特别邀请来见证你的爱情是什么歌曲yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被(bèi)加(jiā)入(rù)美国限制名单(dān)，设(shè)备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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