大家好(hǎo)，来看一(yī)则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销售产品进行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安(ān)全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公室依(yī)法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关(guān)键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络(luò)安(ān)全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)安全，是维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全的必要措施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成(chéng)网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公(gōng)司披露过(guò)美光(guāng)等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光(guāng)位(wèi)列(liè)江波龙第一大先公四岁而孤全文翻译及注释，先公四岁而孤全文翻译答案存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业链(liàn)上下(xià)游建(jiàn)立(lì)国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期(qī)合约(yuē)，确(què)保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市(shì)场的供应优(yōu)势(shì)，公司也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存先公四岁而孤全文翻译及注释，先公四岁而孤全文翻译答案储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游客户转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入(rù)美(měi)国限制名(míng)单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收先公四岁而孤全文翻译及注释，先公四岁而孤全文翻译答案入(rù)增(zēng)长。

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