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　　美光公司在华销售的(de)产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司(sī)在华(huá)销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出(chū)不予(yǔ)通(tōng)过(guò)网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产品服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链安(ān)全(quán)，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的(de)产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额(é)约(yuē)为(wèi作家许地山简介，许地山简介资料) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙(lóng)采购(gòu作家许地山简介，许地山简介资料4px;'>作家许地山简介，许地山简介资料)占(zhàn)比已经(jīng)显著下(xià)降，至少已经不(bù)是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波(bō)龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等(děng)主(zhǔ)要存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市(shì)场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电(diàn)子(zi)披(pī)露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美(měi)国(guó)限制名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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