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　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光公(gōng)司(s拉斯维加斯在美国的哪个地方 拉斯维加斯是沙漠城市吗ī)在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，<拉斯维加斯在美国的哪个地方 拉斯维加斯是沙漠城市吗strong>美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严重网络安(ān)全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键信息基础设施(shī)供(gōng)应链造成重大(dà)安全(quán)风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依法作出(chū)不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)要求，欢(huān)迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络(luò)安(ān)全法》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业(yè)龙(lóng)头，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露过美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)、第(dì)二大和第三(sān)大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美(měi)光在(zài)中国(guó)区销售(shòu)受到(dào)限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游客户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士，国(guó)内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入(rù)增长(zhǎng)。

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