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　　美光公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通(tōng)过(guò)网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光(guāng)公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品(pǐ缺少父爱的女生易恋上什么人，缺父爱的女孩子不会谈恋爱n)。

　　此次(cì)对美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，目(mù)的是防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安(ān)全(quán)的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对(duì)美(měi)光公(gōng)司(sī)（Micron）在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨(jù)头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已经不(bù)是主要大(dà)供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存(cún)储产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期(qī)合(hé)约，确保(bǎo)存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就(jiù)分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游(yóu)客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　缺少父爱的女生易恋上什么人，缺父爱的女孩子不会谈恋爱rong>分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均(jūn)需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备(bèi)及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科缺少父爱的女生易恋上什么人，缺父爱的女孩子不会谈恋爱(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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