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　　美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销售的产(chǎn)品(pǐn)未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查办公室(shì)依法对美光公司在华(huá)销(xiāo)售产品进行(xíng)了(le)网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。<讳疾忌医的故事简短，讳疾忌医的故事和寓意/p>

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司(sī)产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目(mù)的是防(fáng)范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害(hài)国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)安全(quán)，是(shì)维(wéi)护国家安全的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国法律(lǜ)法规要(yào)求(qiú)，欢迎(y讳疾忌医的故事简短，讳疾忌医的故事和寓意íng)各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文(wén)称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室按照(zhào)《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。讳疾忌医的故事简短，讳疾忌医的故事和寓意

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等(děng)公司(sī)披露过(guò)美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内(nèi)外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部(bù)数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的(de)上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器(qì)的(de)生产已(yǐ)经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最(zuì)关(guān)键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更(gèng)多设备(bèi)需(xū)求。据东(dōng)京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美(měi)国限制名(míng)单(dān)，设备国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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