大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公司产品存在(zài)较严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)造(zào)成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室依(yī)法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络(luò)安(ān)全(quán)问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律(lǜ)法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务进入(rù)中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险，维护(hù)国(guó)家安全，依(yī)据《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的(de)产品实施(shī)网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中国市姓张的历史名人有哪些 张姓皇帝一共有几位(shì)场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等国际(jì)存(cún)储厂商(shāng)为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿(yì)姓张的历史名人有哪些 张姓皇帝一共姓张的历史名人有哪些 张姓皇帝一共有几位有几位元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部(bù)数据等(děng)主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在(zài)下游市场的(de)供应优势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受(shòu)到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的(de)结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多(duō)设(shè)备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进(jìn)程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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