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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前(qián)，网络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在(zài)华(huá)销(xiāo)售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)隐患，对我国(guó)关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依(yī)法作出不(bù)予(yǔ)通过(guò)网络安(ān)全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营(yíng)者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn非常漂亮英文怎么写单词，非常漂亮英文怎么写怎么读)品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对(duì)美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施(shī)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市(shì)场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 N非常漂亮英文怎么写单词，非常漂亮英文怎么写怎么读AND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露过美光等(děng)国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供(gōng)应(yīng)商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下(xià)游(yóu)市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或(huò)者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美(měi)国限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄(báo)膜沉积(jī)）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以及(jí)存(cún)储业(yè)务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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