大(dà)家(jiā)好(hǎo)，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络(luò)安全审查，目(mù)的是(shì)防范产品网络安全(quán)问题危害(hài)国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室(shì)按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全(quán)球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙(lóng)、佰维存(cún)储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三大供应(yīng)商采购金(jīn)额占比分别是叮当镯一般是什么材质，叮当镯为什么那么便宜26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上(shàng)下(xià)游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年(nián)年(nián)报(bào)显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市场的供应优势(shì)，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如(rú)果美光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3叮当镯一般是什么材质，叮当镯为叮当镯一般是什么材质，叮当镯为什么那么便宜什么那么便宜D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提(tí)升，以及存(cún)储业(yè)务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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