大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的(de)产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对美光公司(sī)在(zài)华(huá)销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国(guó)国家(jiā)安(ān)全。放里面睡觉是什么样的感觉，放在里面睡觉是一种怎样的感觉g>为此，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)作出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础设施的(de)运营者应停止采购美(měi)光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平(píng)对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各(gè)类平(píng)台(tái)产品(pǐn)服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文(wén)称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患(huàn)造(zào)成(chéng)网络安全风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据(jù)《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络(luò)安全(quán)法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的(de)存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司(sī)披露过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一(yī)大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上(shàng)下(xià)游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前(qián)就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞放里面睡觉是什么样的感觉，放在里面睡觉是一种怎样的感觉对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开(kāi)支合计(jì)为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技(jì)（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。