大(dà)家好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售产品(pǐn)进行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法作出(chū)不予通过(guò)网络(luò)安全(quán)审(shěn)查的(de)结论(lùn)。鬼吹灯真正的作者不敢承认，鬼吹灯真正的尸仙按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)的(de)运营者应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是(shì)维(wéi)护国家安全(quán)的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发(fā)文称，为保障关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施供应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实施(shī)网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美(měi)光等国(guó)际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下(xià)降，至少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势(shì)，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好鬼吹灯真正的作者不敢承认，鬼吹灯真正的尸仙(hǎo)的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或(huò)将导(dǎo)致下游(yóu)客户(hù)转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存(cún)储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量(liàng)的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目(mù)前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入美国限制(zhì)名单，设备国产化(huà)进(jìn)程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提升(shēng)，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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