大家(jiā)好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络(luò)安(ān)全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安(ān)全审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内(nèi)关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害(hài)国(guó)家关键信息基础设施安(ān)全(quán)，是维(wéi)护国家安全(quán)的必(bì)要措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光是美国的(de50g是几两 50g是一两吗; line-height: 24px;'>50g是几两 50g是一两吗)存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美(měi)光等(děng)国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波(bō)龙采购(gòu)占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存(cún)储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在(zài)下(xià)游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂(50g是几两 50g是一两吗chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如(rú)果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京(jīng)电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份额(é)提(tí)升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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