大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销(xiāo)售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链(liàn)造(zào)成重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安(ān)全(quán)问题危害国家(ji娜能组成什么词，娜字能组什么词语ā)关键信息基础设施安(ān)全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进高水平对(duì)外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台(tái)产品服(fú)务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)安(ān)全，防(fáng)范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全(quán)风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和国国家(jiā)安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市(shì)场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披(pī)露过美(měi)光等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著(zhù)下(xià)降，至少(shǎo)已经娜能组成什么词，娜字能组什么词语不是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大(dà)、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业(yè)链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光(guāng)在(zài)中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从中受(shòu)益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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