大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售的(de)产品未通(tōng)过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了(le)网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链(liàn)造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法(fǎ)作出不予通过(guò)网络安全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施的(de)运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的(de竹林七贤顺口溜记忆法，建安七子顺口溜怎么读ght: 24px;'>竹林七贤顺口溜记忆法，建安七子顺口溜怎么读)是防范(fàn)产品网络(luò)安(ān)全问题危害(hài)国家关(guān)键信息基础设施安全，是(shì)维护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和(hé)第三大(dà)供应商采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司(sī)也与国内(nèi)国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导(dǎo)致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步(bù)骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京(jīng)电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提(tí)升，以及(jí)存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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