大(dà)家好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品存(cún)在(zài)较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)作出不予通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查(chá)的结(jié)论(lùn)。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础设(shè)施的运(yùn)营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网络安全审(shěn)查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络(luò)安全(quán)问题危(wēi)害国(guó)家关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家(jiā)安全(quán)的(de)必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华(huá)secx的不定积分推导过程，secx的不定积分推导过程图片人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审secx的不定积分推导过程，secx的不定积分推导过程图片(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全审查(chá)办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市(shì)场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购(gòu)占(zhàn)比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购(gòu)金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游(yóu)建立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了(le)长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应(yīng)的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的(de)供应优势(shì)，公司也与国(guó)内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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