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　　美(měi)光公司在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品未(wèi)通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美(měi)光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信息基础设施(shī)供应链造(zào)成(chéng)重(zhòng)大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室依(yī)法作出不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信息五大洋还是四大洋 南大洋中国承认了吗基础设(shè)施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防(fáng)范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基(jī)础设(shè)施安全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对(duì)外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各(gè)类平台产品服(fú)务进(jìn)入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文(wén)称，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链安(ān)全(quán)，防范(fàn)产(chǎn)品问题(tí)隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险，维护(hù)国(guó)家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》，网络安全审查办公室(shì)按(àn)照《网络安全审查(chá)办(bàn)法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美(měi)五大洋还是四大洋 南大洋中国承认了吗国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙(lóng)头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列(liè)江波龙第一五大洋还是四大洋 南大洋中国承认了吗(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链(liàn)上(shàng)下(xià)游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客(kè)户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单(dān)，设(shè)备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业(yè)务(wù)占比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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