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　　美光公司在华(huá)销售的产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司(sī)在华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产品存在较严重网个子矮可以抱着做，矮个子抱起来做络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室(shì)依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规(guī)，我国内关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对(duì)外开(kāi)放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文(wén)称，为(wèi)保障关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司(sī)中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额(个子矮可以抱着做，矮个子抱起来做é)占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期(qī)合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的(de)供应优势，公(gōng)司(sī)也(yě)与(yǔ)国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在(zài)中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生(shēng)产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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