大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公(gōng)司(sī)在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题(tí)隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链造成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础卫生委员的职责有哪些内容，卫生委员的职责有哪些呢设(shè)施的运营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全审查(chá)，目的(de)是防范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基(jī)础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服务(wù)进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息(xī)基础设施供(gōng)应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国国(guó)家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露过美光等(děng)国际(jì)存(cún)储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiān卫生委员的职责有哪些内容，卫生委员的职责有哪些呢g)波(bō)龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户(hù)转而采购国(guó)外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从(cóng)中(zhōng)受益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美(měi)国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额(é)提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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