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揆诸当下的意思是什么,揆诸当下读音

揆诸当下的意思是什么,揆诸当下读音 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家(jiā)好,来看一则(zé)突发(fā)消息。

  美(měi)光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全审查

  据网信办消息,日(rì)前,网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法对美光公司在华(huá)销(xiāo)售产品进行了(le)网络安全审查。

  审查发现,美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患,对(duì)我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险(xiǎn),影响(xiǎng)我国国家安全。为此,网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全(quán)法》等法律法规,揆诸当下的意思是什么,揆诸当下读音ng>我国(guó)内关键信(xìn)息基础设施(shī)的(de)运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

  此次对美光公司产品进行网络安全审查,目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)安(ān)全,是(shì)维护(hù)国家安全(quán)的必(bì)要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放,只要(yào)遵守中国法律法规要求(qiú),欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进入中国市场。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停止采购!

  3月31日,揆诸当下的意思是什么,揆诸当下读音中国网信(xìn)网发文称,为保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施供应链安全(quán),防范产品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风(fēng)险,维护国家安全,依据(jù)《中(zhōng)华人(rén)民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》,网络(luò)安全审查办公(gōng)室按照《网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办法》,对美光公司(Micron)在华销售(shòu)的产品(pǐn)实(shí)施(shī)网络安全审查(chá)。

  半(bàn)导体(tǐ)突(tū)发(fā)!中国出手:停止采购(gòu)!

  美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙头,也是(shì)全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之(zhī)一,2022年收入来自(zì)中(zhōng)国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57%降至2022年(nián)约11%。根据(jù)市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额约为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM (内存)市场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上市公司(sī)中,江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美(měi)光等国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供应商。

  美(měi)光在江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降,至少已经不是主要大供应商(shāng)。

  公告显示, 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供应商,采购约31亿(yì)元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示,江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合(hé)约,确(què)保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性,巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应优势,公(gōng)司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

  有券(quàn)商此前就分析(xī),如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制,或(huò)将导致(zhì)下(xià)游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士,国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

  分析称(chēng),长存、长鑫的(de)上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代,2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步(bù)骤,同时(shí)刻蚀目(mù)前(qián)前(qián)沿(yán)要刻到 60:1的深孔,未来可(kě)能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽,催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京电子披露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75%。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美(měi)国(guó)限制名(míng)单,设备国产化进程加速,看好拓(tuò)荆科技(薄膜沉(chén)积)等相关公司份额提升(shēng),以及存储业务(wù)占比较(jiào)高的华(huá)海清科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗)等(děng)收(shōu)入增长(zhǎng)。

 

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