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5k是多少钱,5k是多少钱人民币 半导体突发!中国出手:停止采购!

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  美光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全(quán)审查

  据网信办消息,日前,网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络(luò)安全审查(chá)。

  审查发现,美光公(gōng)司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患(huàn),对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大安(ān)全风险,影响我国国(guó)家安全。为此,网络(luò)安(ān)全审查办公室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规,我国内关键信息基(jī)础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美光公(gōng)司产品。

  此(cǐ)次对(duì)美(měi)光公司(sī)产品进行网络(luò)安全(quán)审查,目(mù)的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基(jī)础设施安全(quán),是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放,只(zhǐ)要(yào)遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求,欢迎各国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务进入(rù)中国市(shì)场。

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5k是多少钱,5k是多少钱人民币pan style='color: #ff0000; line-height: 24px;'>5k是多少钱,5k是多少钱人民币>  3月31日,中(zhōng)国(guó)网信(xìn)网发文称(chēng),为保障关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链安全,防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风险,维护国家(jiā)安全,依据《中华(huá)人民共和国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和(hé)国网络安全法》,网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》,对美光公司(sī)(Micron)在华销售的产品实施网络安全审查。

  半导(dǎo)体突(tū)发!中国(guó)出手:停止采购!

  美光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头,也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨(jù)头之一,2022年收入来自中国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57%降至(zhì)2022年约11%。根据市场咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存(cún))市场份额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM (内存)市场份(fèn)额约为 94.35%。

  A股上市(shì)公司中(zhōng),江(jiāng)波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际(jì)存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商(shāng)。

  美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著下降,至少已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

  公告(gào)显示, 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应(y5k是多少钱,5k是多少钱人民币īng)商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立(lì)国内(nèi)外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报(bào)显(xiǎn)示,江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约,确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng),巩固公司(sī)在下(xià)游市场(chǎng)的供应(yīng)优(yōu)势,公司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作(zuò)。

  有券商此前就(jiù)分析,如(rú)果美光在中国(guó)区销售受到限制(zhì),或(huò)将导致(zhì)下游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士(shì),国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品

  分析称,长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代,2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜(mó)沉积(jī)工艺步骤,同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60:1的深孔(kǒng),未来可能会更深的孔或者沟槽,催生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披露,薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75%。自长(zhǎng)江存(cún)储被(bèi)加(jiā)入美(měi)国(guó)限制名单(dān),设(shè)备国(guó)产化(huà)进程加速,看(kàn)好拓荆科(kē)技(薄膜沉积)等(děng)相关公司份(fèn)额(é)提升(shēng),以及存储业务(wù)占比(bǐ)较(jiào)高(gāo)的华(huá)海清科(kē)(CMP)、盛美上海(清洗)等(děng)收入增长。

 

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