大家(jiā)好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品未(wèi)通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网信办(bàn)消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法对(duì)美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严(yán)重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家(jiā)安(ān)全。为此(ceach of后面加单数还是复数谓语，each of 后跟单数还是复数ǐ)，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通过网络(luò)安全(quán)审查的(de)结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据(jù)《中华人(rén)民(mín)共(gòng)和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光(guāng)等国(guó)际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司(sī)供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波each of后面加单数还是复数谓语，each of 后跟单数还是复数龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链(liàn)上下(xià)游建(jiàn)立国(guó)内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国(guó)内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设(shè)备(bèi)及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设(shè)备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等(děng)相关公司份额提升，以及(jí)存(cún)储业(yè)务占比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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