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　　美光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行了(le)网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品(pǐn)存在(zài)较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设施的(de)运营(yíng)者应停(tíng)止(zhǐ)采购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各(gè)国企业、各(gè)类(lèi)平(píng)台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国(guó)家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是(shì)全(quán)球(qiú)存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过美光等(děng)国(guó)际存(cún)储(chǔ)厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第三大(dà)供应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西(xī)部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签(qiān)署了(le)长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉(hàn)长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下(xià)游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫(xīn)的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的(de)生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速(sù戴choker就是m吗，戴choker什么意思)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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