大家好，来看一(yī)则(zé)突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较严(yán)重网络安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)的运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美(měi)光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国(guó)家关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是维护(hù)国家安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng中国和哪国通婚最多，嫁中国人最多的国家)是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为(wèi)中国和哪国通婚最多，嫁中国人最多的国家 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公(gōng)司(sī)披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二(èr)大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业(yè)链上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势(shì)，公司也与国(guó)内(nèi)国(guó)产(chǎn)存(cún)储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺(yì)。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东(dōng)中国和哪国通婚最多，嫁中国人最多的国家京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计(jì)为75％。自(zì)长江存(cún)储被加(jiā)入美(měi)国(guó)限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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