大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美(měi)光公司在华销售的(de)产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发(fā)现(xiàn)，美光公司(sī)产品存(cún)在(zài)较(jiào)严重网络安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国(guó)关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室(shì)依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施的运(yùn)营(yíng)者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络(luò)安全(quán)审查，目(mù)的麻雀养大了认主吗，麻雀智商相当于几岁是防范产品网络(luò)安全(quán)问题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产品服(fú)务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称(chēng)，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公(gōng)室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.麻雀养大了认主吗，麻雀智商相当于几岁76％，三星电子、麻雀养大了认主吗，麻雀智商相当于几岁 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位(wèi)列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到(dào)限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江(jiāng)存(cún)储、长(zhǎng)鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储(chǔ)器(qì)的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设(shè)备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等(děng)收(shōu)入增(zēng)长。

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