大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设(shè)施供应链造成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)的(de)运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络(luò)安(ān)全(quán)审查，目的(de)是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问题危(wēi)害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施供应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安(ān)全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的(de)产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是(shì)美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三大(dà)供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的(de)稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国(guó)区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备(bèi)厂或从中(zhōng)受益(yì)。存(cú其远而无所至极邪的邪怎么读音，卯怎么读音n)储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽(cáo)，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化(huà)进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及(jí)存储业(yè)务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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