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　　美光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)的(de)产品未通(tōng)过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网络安全(quán)审查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发(fā)现(xiàn)，美(měi)光(guāng)公司产品存在较(jiào)严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家(jiā)安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安全(quán)审查的结(jié)论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问题(tí)危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水亚洲48个国家的名字，亚洲包含哪几个国家组成(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类(lèi)平台(tái)产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风(fēng)险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一，2022年亚洲48个国家的名字，亚洲包含哪几个国家组成收入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国(guó)际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确(què)保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持(chí)良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下(xià)游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开(kāi)支(zhī)合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单，设(shè)备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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