大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美(měi)光公司在华销售的(de)产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络作风建设包括哪些方面问题，机关作风建设包括哪些方面安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全(quán)风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施的运(yùn)营(yíng)者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是维(wéi)护国家安(ān)全(quán)的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施(shī)供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中华人民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公室按(àn)照《网络安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第三(sān)大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公(gōng)司在下(xià)游市场(chǎng)的供(gōng)应优势(shì)作风建设包括哪些方面问题，机关作风建设包括哪些方面，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国(guó)外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求(qiú)。据(jù)东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉(chén)积(jī)）等(děng)相关(guān)公司份额(é)提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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