大家好(hǎo)，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存(cún)在(zài)较严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础设施(shī)供应链造成重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设施的(de)运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查(chá)，目(mù)的是(shì)防范产品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安(ān)全(quán)，是(shì)维护国(guó)家安全的(de)必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台产品服(fú)务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链安(ān)全(quán)，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网(wǎng)络(luò)安(ān)全风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室(shì)按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电故意不接电话说明什么，女人不接电话暗示什么子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期合(hé)约(yuē)，确保存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美(měi)国限制名(míng)单，设备(bèi)国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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