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　　美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较(jiào)严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链造成重(zhòng)大安(ān)全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信息基(jī)础设施(shī)的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查(chá)，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危(wēi)害(hài)国家关键信息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文(wén)称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人(rén)民(mín)共(gòng)和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入(rù)从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2四氧化三铁铁几价氧几价，骂人三氧化二铁什么意思022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据(jù)、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(四氧化三铁铁几价氧几价，骂人三氧化二铁什么意思gǔ)上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司(sī)披(pī)露过美光等(děng)国(guó)际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下(xià)降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占(zhàn)比33.52四氧化三铁铁几价氧几价，骂人三氧化二铁什么意思％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一大、第(dì)二大(dà)和第三大(dà)供(gōng)应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三(sān)星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的(de)生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国(guó)产化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等(děng)相关(guān)公司份额(é)提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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