大家好，来看(kàn)一则(zé)突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在(zài)华销售的(de)产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安全(quán)prepare的名词形式是什么，prepare的名词形式可数吗。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不(bù)予通过网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查，目的(de)是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题危害国家关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施(shī)安全，是维护国家(jiā)安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入来自(zì)中(zhōng)国市场收(shōu)入从(cóng)此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过美(měi)光等(děng)国际存储prepare的名词形式是什么，prepare的名词形式可数吗厂商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固公司在(zài)下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户(hù)转而(ér)采(cǎi)购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析(xī)称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大(dà)量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过(guò)薄(báo)膜沉积(jī)工艺步(bù)骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前(qiánprepare的名词形式是什么，prepare的名词形式可数吗)前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增(zēng)长(zhǎng)。

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