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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未(wèi)通过(guò)网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)供(gōng)应链(liàn)造(zào)成重(zhòng)大安全(quán)风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出(chū)不予通过(guò)网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信(xìn)息(xī)基(jī)础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题危害国(guó)家关键信息基础(chǔ)设(shè)施安(ān)全(quán)，是维护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进(jìn)高水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披(pī)露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；20耳朵旁的字有哪些字，带右耳朵旁的字有哪些22年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固(gù)公(gōng)司(sī)在下(xià)游市场的供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额(é)提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收(shō耳朵旁的字有哪些字，带右耳朵旁的字有哪些u)入增长。

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