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　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未(wèi)通(tōng)过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基(jī)础设施的运营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进(jìn)行网络安(ān)全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施(shī)安全，是(shì)维护国家安全的必(bì)要(yào)措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台(tái)产品服务进入(rù)中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和(hé)国(guó)国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对(duì)美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为(wèi)公司供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至(zhì)少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大供应商采购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等主要(yào)存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区(qū)销售(shòu)天兵天将指哪个生肖，天兵天将指哪个生肖的动物受到限制(zhì)，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海天兵天将指哪个生肖，天兵天将指哪个生肖的动物力士，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长(zhǎng)鑫(xīn)的上(shàng)游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的(de)结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备(bèi)需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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